将ATLCE探測器原始實驗數據交給陳正平處理後，徐川馬蹄趕回魔都。

核能項目第階段半導體材料研發已經到關鍵節點，得回主持局，加速度來。

畢竟現已經到農曆旬，再幾時間就過。

等過完，實驗也差就該放假。

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魔都，科學院原子核研究所，徐川帶着聚酯套，操控着離子注入機将設備屬離子材料送入ALD氣相沉積儀。

這制造半導體材料很關鍵步，為半導體基底注入雜質。

當然，這個雜質并非們傳統概雜質，些類似于們機使用半導體矽基芯片。

衆所周，半導體指常溫導電性能介于導體與絕緣體之間材料。

導電性控，容易受到微量雜質界條件響而發變化。

往裡面摻雜磷、砷、镓等同電阻材料以讓其形成NP極，作為控制電荷開關門。

這半導體材料核基礎。

其非常着名，們常活也容易接觸到伏發電也建這基礎。

過利用其另部分--半導體特伏特效應。

伏發電通過照使均勻半導體或半導體與屬結同部位之間産電位差現象。

首先将伏發電闆将子（波）轉化為電子、将能量轉化為電能量，然後讓其形成電壓。

電壓，就像流築壩，如果兩者之間連通，就會形成電流回。

這伏發電核原理，也核能輻射能聚集轉換電能機制原理之。

過傳統伏發電技術個很缺點，就般太陽能電池譜響應波長範圍基本都-n】

漫長等待時間過，徐川帶套罩護目鏡等防護設備，打開氣相沉積爐将裡面完成加材料取來。

第批加好材料并算，邊長隻*過作為實驗體，已經夠。

值得提，盡管面積，但度卻比般需使用氣相沉積設備加材料，兩厘米。

畢竟用于處理核廢料，如果太，沒法完全吸收掉核廢料散發輻射。

事實，這已經第次這種半導體材料。

之時間，已經相應分完全同半導體材料，隻測試結果都盡。

當然，這故，畢竟次就成功，這點太議。

而份材料失敗材料，從測試理論都給夠調數據，再完成材料研發，就理。

盡管相對比其實驗研究所材料研發過程來說，這依舊簡潔。

很實驗或研究所研發份材料能失敗幾，幾百甚至幾千次才能來。

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王遠，取部分材料，先個全面常規檢測。

實驗，徐川先目測觀察成來材料後，對着邊研究員開。

這名叫王遠研究員，就之克研究所打電話時遇到個青

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