徐川進入自己辦公鑽研東，樊鵬越開始也沒，以為很就能來結果等到第，開會時候，才突然起來這事摸機打電話，才發現這位師弟已經回自己别墅書，徐川挂斷電話，着稿紙，面已經寫滿密密麻麻字符繼續着研究。

靈已經抓到，着鼓作氣，直接完善這套理論。

…考慮摻雜劑空間群(SG）晶格規則放置，這将對稱性到CUC，而雙帶帶模型特點$Gamma$A處對稱強化雙Weyl點。

由于混軌特征非平凡帶量子幾何，以及個奇異平帶。引入Cu原子形成磁力阱後溫銅碳銀複材料密度泛函理論(DFT）計算極好緻性提供摻雜材料以實現費米能級最拓撲能帶證據。

理論來說，這已經夠為構建拓撲量子材料提供基礎。

着稿紙字，徐川絲滿過份研究論文，抵會發。

方面，怕沒着最能性代替矽基芯片碳基芯片，其性也略輸籌。

肯定溫壓引導法适改退型超導材料，剩唯途徑，恐怕通過離子注入機來完成盡管理論應用還隔着很距離，但沒理論基礎指引，應用後退方向已然對。

對拓撲物态産機制特性退研究，其實能算得關聯電子統框架理論延續。

或許過程，科學會各種辦法來解決個問題通過真空冶設備制造純度，結晶組織壞，粒度控原料，制備銅碳銀複材料基礎。

但離子注入機能級太，會較程度損好超導體，性能說，業化量産也個相當麻煩事。

畢竟原材料制備，半導體産，總得考慮性價比制備難度索，倫搖搖頭，将腦法抛徐川也例裡，尤其現還掌控着樣個殺器到納米迹象，即便些芯片廠能夠突破個關，但體芯片性能理論來說就會優良，甚至會會太穩定，沒能現各種問題。

但實際兩者根本就法比較，先步步吧。量子計算機發展，目後也抽麼時間來事。

滿伸個懶腰，徐川站起活動筋骨。

而尋種代替性材料，亦或者發展其發現計算機，芯片計算機業直事，而從結束，轉折點。

，種現象并指矽基芯片達到納米時候才現效應而份拓撲物态産機制特性研究機理論文，能很程度解決個問題第原因則量子隧穿效應，限制目後矽基芯片發展最因素就像航于遭遇暴風隻，浪與飓風間，到岸邊

：