說實，怕到今，秦元清扶持華芯科技，涉及集成電端制造領域，華與方國依舊着差距。

　　别說，單單阿斯麥公司極刻機（EUV），彙聚所方國最頂尖制造技術，堪稱類史以來最緊密業品。

　　與航空發動機起，成為業制造皇冠顆珠。

　　秦元清也完極刻機制造技術，但沒兌換，因為實際現麼需，納米、納米制程藝，就需華芯科技好好吸收陣子。

　　秦元清也得承認，矽基集成電時代，方國着巨先發優勢，華很難這領域與方國展開競争。軍事應用還好，放着技術專利管到軍事設備，但民用方面，就會受到專利約束。

　　這麼來，方國些企業充分诠釋甚麼叫作‘專利流氓’，專利壁壘開玩笑。

　　這也為甚麼，華率先掌握G技術，然後世界就轟動，實G時代紅利還沒完，G時代紅利才剛剛開始，都還沒飽，結果華威掌握G技術，這砸飯碗麼。

　　更惡，G技術突破，華已經建設G基站，這速度實太。

　　所以才鬧得沸沸揚揚。

　　秦元清承認，矽基芯片制程差距，讓華很難時間追方發達國，怕追也稱彎超車。但矽基領域沒辦法彎超車，并着沒另辟蹊徑辦法。

　　碳納米管被科學們寄予望！

　　這與其本特性息息相關。首先，碳納米管芯片量雖，但節能增效能力卻更加強，碳納米管由單層碳原子卷成管狀碳材料，導電性能極好，而且碳元素球儲量分豐富。

　　碳納米管直徑以根據藝同制成幾納米到幾納米長；管壁度更，根據壁層碳原子數量同，碳納米管以分為單壁碳納米管壁碳納米管；同樣集成度況，碳納米管芯片比矽元器件體積更。

　　同時，碳納米管韌性極，以承受彎曲、拉伸等應力，電信号傳輸過程延遲很，所以，從材料物理屬性，碳納米管具替代矽芯片潛力。

　　其次，碳材料具種同素異形體，除碳納米管以，還們熟剛、墨、富勒烯、活性炭等等。M。Ι。

　　其導電性質強烈依賴于結構，以由絕緣體轉變為半導體、由半導體變為導體。而且，導電方式原理與傳統晶體管樣，更強傳導能力。

　　另，現晶體管導電過程無避免會産漏電流，漏電會導緻發熱，而碳納米管以避免這問題，故而能效相對較。

　　從理論講，碳納米管芯片能量利用率望超過現芯

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